大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据三大球和三小球分别是什么 三大球的起源网信(xìn)办消息，日前，网络(luò)安(ān)全审查办(bàn)公室(shì)依法对(duì)美光公司(sī)在(zài)华销(xiāo)售产品进行了网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公司(sī)产品存在(zài)较严重网络安全问题隐患，对(duì)我国关键信息(xī)基础设施供(gōng)应链造成重(zhòng)大(dà)安全风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网络安(ān)全审(shěn)查办公室依法作(zuò)出(chū)不予(yǔ)通过(guò)网络安全审查(chá)的结论。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我国内关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础设施的运营(yíng)者(zhě)应停(tíng)止采购美光(guāng)公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行(xíng)网络安全审查，目(mù)的是防范产品网络(luò)安(ān)全问(wèn)题危害(hài)国家关键信息基础设(shè)施安全，是(shì)维护国家安全的(de)必要(yào)措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发(fā)文(wén)称，为(wèi)保(bǎo)障关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应(yīng)链安全，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造(zào)成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共和(hé)国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安(ān)全审查办公室按照《网(wǎng)络安全(quán)审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业龙(lóng)头，也是全(quán)球(qiú)存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入(rù)来(lái)自中国(guó)市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机构 Omd三大球和三小球分别是什么 三大球的起源ia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储等公司披(pī)露过美光等国(guó)际(jì)存储厂商为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占(zhàn)比已(yǐ)经显著下(xià)降，至少已经不是主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第(dì)一大、第二大和第三大(dà)供应商采购金额(é)占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经(jīng)在(zài)存储产业链上(shàng)下游建立国内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部(bù)数据等主要存(cún)储晶(jīng)圆原厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固(gù)公(gōng)司在下游市场的供(gōng)应优势(shì)，公(gōng)司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光在中国区销(xiāo)售受到限制，或将导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的(de)上游设备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已(yǐ)经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的(de)结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积(jī)工(gōng)艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来可能(néng)会(huì)更深的孔或(huò)者(zhě)沟槽(cáo)，催生更(gèng)多(duō)设备(bèi)需求(qiú)。据(jù)东(dōng)京电子披露，薄膜沉(chén)积(jī)设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合(hé)计为(wèi)75％。自长江存(cún)储被加(jiā)入(rù)美(měi)国(guó)限制名单，设备国(guó)产化进(jìn)程(chéng)加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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