大家好(hǎo)，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公司(sī)在华销售(shòu)的(de)产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室依法对(duì)美(měi)光公司在华销售产品进行了(le)网(wǎng)络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公司产品(pǐn)存在较严(yán)重网(wǎng)络安全问题隐患，对(duì)我国(guó)关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链造成重大安全风险，影响我国(guó)国(guó)家安(ān)全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依法作出不(bù)予通过网络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础设施(shī)的(de)运营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美光公司产品进(jìn)行(xíng)网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)，目的(de)是(shì)防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维(wéi)护国(guó)家安全的必(bì)要措(cuò)施。中国坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平对(duì)外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求(qiú)，欢迎各(gè)国企业(yè)、各(gè)类(lèi)平(píng)台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为(wèi)保障关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)供(gōng)应(yīng)链安(ān)全，防范产品问题隐患造成网络(luò)安全风险，维护国家(jiā)安全(quán)，依据《中华人民共和(hé)国国家安全法(fǎ)》《中华人(rén)民共(gòng)和(hé)国网(wǎng)络安(ān)全(quán)法》，网络安全审(shěn)查办公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的产品实(shí)施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全(quán)球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司披露过美光等国(guó)际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位列(liè)江(jiāng)波(bō)龙第一(yī)大(dà)存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一大、第二(èr)大和第三大(dà)供(gōng)应(yīng)商采购金额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在(zài)存储产业链上(shàng)下(xià)游(yóu)建立国内外(wài)广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要(yào)存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游(yóu)市场的供(gōng)应(yīng)优势，公司(sī)也与国内(nèi)国产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长鑫保持良好(耳根全部小说的阅读顺序是什么，耳根小说阅读顺序关系hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果(guǒ)美光在中(zhōng)国(guó)区销售(shòu)受(shòu)到限(xiàn)制，或(huò)将导致下游客户(hù)转而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会(huì)更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多(duō)设(shè)备需求(qiú)。据东京(jīng)电(diàn)子披露，薄(báo)膜沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支(zhī)合计(jì)为75％。自长江存储被加入(rù)美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科(kē)技(jì)（薄膜沉(chén)积）等相关公司(sī)份额提升(shēng)，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

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