大家好(hǎo)，来看一则(zé)突发消(xiāo)息。

　　美光公司在(zài)华销售的产品(pǐn)未通过网络安(ān)全(quán)审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审查办(bàn)公室依法对美光公司在华销售产品进行了(le)网络安(ān)全审查(chá)。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公司产品存在较严(yán)重网络安全(quán)问题(tí)隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链造成重大安全(quán)风险，影(yǐng)响我(wǒ)国(guó)国家安(ān)全。为此，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依(yī)法作出不予(yǔ)通(tōng)过网络安(ān)全审(shěn)查的结论。按照(zhào)《网络安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规(guī)，我国内关(guān)键信(xìn)息基础设施(shī)的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公司(sī)产品进行网(wǎng)络(luò)安全审查，目的是(shì)防范产品网络安(ān)全问题危害(hài)国家关(guān)键信息基础设施(shī)安全，是维护(hù)国(guó)家安全的必要(yào)措施。中国坚定推(tuī)进(jìn)高水(shuǐ)平对外开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类(lèi)平台产(chǎn)品服务进入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网(成玉元君的身世是什么，成玉元君是什么身份wǎng)信网(wǎng)发文(wén)称，为保障关键信息基础设(shè)施供应链安全，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造成网(wǎng)络安全风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依(yī)据《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中华人(rén)民共(gòng)和国网络(luò)安全法》，网络安(ān)全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络(luò)安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也是全球(qiú)存储芯(xīn)片巨头之一(yī)，2022年收(shōu)入来自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、成玉元君的身世是什么，成玉元君是什么身份Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光等国际(jì)存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比(bǐ)已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二(èr)大(dà)和第三(sān)大供应商(shāng)采(cǎi)购金额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业链(liàn)上下(xià)游建(jiàn)立国(guó)内(nèi)外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年(nián)年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在(zài)下游市场的供应优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫保持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析(xī)，如果(guǒ)美光在中国区销售(shòu)受(shòu)到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内长江存(cún)储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或(huò)从中(zhōng)受益。存储器(qì)的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最(zuì)关(guān)键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设备(bèi)需求。据东京电子(zi)披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制(zhì)名单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相(xiāng)关公司(sī)份额提升(shēng)，以(yǐ)及存储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等(děng)收入(rù)增长。

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