大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光(guāng)公司在华销售的产(chǎn)品未通(tōng)过(guò)网络安全(quán)审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全审查办(bàn)公室依(yī)法(fǎ)对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公(gōng)司产品存(cún)在较(jiào)严重(zhòng)网络安全问题(tí)隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施(shī)供应链造成(chéng)重大安全(quán)风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网络安(ān)全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室依法作(zuò)出(chū)不(bù)予通过网络安全(quán)审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内(nèi)关键信息(xī)基础(chǔ)设施的运(yùn)营者应停止采购美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对美光公司(sī)产品进(jìn)行网络(luò)安全审(shěn)查，目的是防范产品网络安全问题危害(hài)国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维(wéi)护国(guó)家安全(quán)的(de)必要措(cuò)施。中国(guó)坚定推进(jìn)高水平(píng)对外开(kāi)放，只要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法规要(yào)求(qiú)，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品(pǐn)服务(wù)进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发(fā)文称，为保障关键信息基(jī)础设施供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造(zào)成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的(de)产(chǎn)品实施网络安全(quán)审查。

　　美(měi)光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自(zì)中国(guó)市场(chǎng)收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光等国际存(cún)储厂商(shāng)为公司供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波龙采购(gòu)占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是(shì)主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第(dì)二(èr)大和第三大供应商(shāng)采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经在(zài)存储产业链上下(xià)游(yóu)建立国内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要(yào)存(cún)储晶圆原(yuán)厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固殖民地和半殖民地区别通俗易懂，中国7个殖民地公司在下(xià)游殖民地和半殖民地区别通俗易懂，中国7个殖民地市场的供应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如(rú)果美(měi)光在中(zhōng)国(guó)区销售(shòu)受到限制，或将导致下游客(kè)户(hù)转而采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受(shòu)益(yì)。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键(jiàn)、最大量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生更多(duō)设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储(chǔ)被加入美国限制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入增(zēng)长。

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