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陈万年教子文言文翻译注释和启示,文言文《陈万年教子》翻译

陈万年教子文言文翻译注释和启示,文言文《陈万年教子》翻译 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家(jiā)好,来(lái)看一则突发消息(xī)。

  美光公司在华销(xiāo)售的产品未通过网络安(ān)全(quán)审查

  据网信办(bàn)消息,日前,网络安全审查办公室依(yī)法对美光公司(sī)在华销(xiāo)售产品进行了网络安全审(shěn)查(chá)。

  审查发(fā)现,美(měi)光公司产品存在较严重网络(luò)安全问(wèn)题隐患,对我国关键信息基础设施供应链造成重(zhòng)大安全(quán)风(fēng)险,影响我国(guó)国家(jiā)安全。为此,网络安全(quán)审查办公(gōng)室依(yī)法作(zuò)出不予通(tōng)过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法(fǎ)律法规(guī),我国内关键信息基础(chǔ)设施的运(yùn)营者(zhě)应停止采购美(měi)光公司产品(pǐn)。

  此次对美(měi)光公司产品进行网络安(ān)全审查,目的是(shì)防范产品(pǐn)网络(luò)安全问题(tí)危(wēi)害国家关键(jiàn)信(xìn)息基础设施安全,是(shì)维护国家安全的(de)必要措施。中国(guó)坚定(dìng)推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放,只要(yào)遵守中国法律(lǜ)法规要求,欢迎(yíng)各国企业、各(gè)类(lèi)平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

  半导体突(tū)发!中(zhōng)国出手(shǒu):停止采购!

  3月(yuè)31日,中(zhōng)国网(wǎng)信(xìn)网(wǎng)发文(wén)称(chēng),为保障关键信息基础设施供应链安(ān)全,防范产品(pǐn)问题隐患造成网络(luò)安(ān)全风(fēng)险,维护国家安全,依据《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网络安(ān)全(quán)法》,网络安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室(shì)按照《网络安(ān)全(quán)审查办法(fǎ)》,对美光公司(Micron)在华销售的产(chǎn)品实施网络安全审查(chá)。

  半导(dǎo)体突发!中(zhōng)国出手:停止采购!

  美光(guāng)是美国的(de)存储芯片行(xíng)业(yè)龙头(tóu),也是(shì)全(quán)球存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一,2022年收入来自中国市场收入从此前高(gāo)峰57%降至2022年约11%。根(gēn)据(jù)市场咨询(xún)机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash (闪存)市场份额约为(wèi) 96.76%,三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内(nèi)存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市公司中,江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美光等国(guó)际存储厂商为(wèi)公司供应商。

  美光(guāng)在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降,至少已经不是主(zhǔ)要大(dà)供应商(shāng)。

  公告显示(shì), 2021年(nián)美光位列(liè)江波龙第(dì)一大存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供(gōng)应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应商(shāng)采购金额占比分别(bié)是26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前(qián)江波龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显示,江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了(le)长期(qī)合约,确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性,巩固公司在下游市场的供应(yīng)优势(shì),公司也与国内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合(hé)作。

  有券(quàn)商此前就分析,如果(guǒ)美(měi)光(guāng)在中国区销(xiāo)售(shòu)受到(dào)限(xiàn)制,或将导致下游客户转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士,国内长(zhǎng)江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

  分析称,长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受(shòu)益。陈万年教子文言文翻译注释和启示,文言文《陈万年教子》翻译trong>存(cún)储器(qì)的生产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代(dài),2 维到3维(wéi)的(de)结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤,同时刻蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60:1的深孔,未来可(kě)能会更(gèng)深的(de)孔或者(zhě)沟(gōu)槽,催(cuī)生(shēng)更多设(shè)备需求(qiú)。据东(dōng)京电子披(pī)露,薄(báo)膜沉积设备及(jí)刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资陈万年教子文言文翻译注释和启示,文言文《陈万年教子》翻译本开支合计为75%。自长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)被加入(rù)美国限制(zhì)名单,设(shè)备国产化(huà)进程加(jiā)速(sù),看好(hǎo)拓荆科技(薄膜沉积)等相关公(gōng)司份额提升(shēng),以及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科(kē)(CMP)、盛美上(shàng)海(清洗(xǐ))等收(shōu)入增长。

 

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