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　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息，日前，网络(luò)安全审查办公室依法对美光(guāng)公司在华销售产(chǎn)品进行了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产(chǎn)品存在较严(yán)重网络安全(quán)问题隐患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国家安(ān)全(quán)。为(wèi)此，网络安全审查办公室依(yī)法作出(chū)不(bù)予通过网络安全审查的(de)结论(lùn)。按照《网络(luò)安(ān)全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信息(xī)基础设施的运(yùn)营者应停止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行网(wǎng)络(luò)安全审查，目的是(shì)防范(fàn)产品网络安全问题危害国家关键信息基(jī)础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规(guī)要求(qiú)，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信(xìn)息基(jī)础设施供应链安全(quán)，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安(ān)全风险，维护(hù)国家安(ān)全，依(yī)据《中华人民共和国(guó)国(guó)家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全(quán)法》，网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办公室(shì)按照(zhào)《网(wǎng)络安(ān)全审查办法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络(luò)安全审查。

　　美(měi)光是美国的(de)存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收(shōu)入(rù)从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披(pī)露过美(měi)光(guāng)等国际(jì)存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经不是(shì)主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公告(gào)太乙天尊是谁 太乙天尊是太乙真人吗显示(shì)， 2021年美光位列江波龙(lóng)第(dì)一大存(cún)储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大(dà)和第(dì)三大供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数(shù)据等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期(qī)合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市(shì)场的供应(yīng)优势(shì)，公(gōng)司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将导致下游(yóu)客户转而采(cǎi)购国外三星(xīng)太乙天尊是谁 太乙天尊是太乙真人吗、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从(cóng)中(zhōng)受(shòu)益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过(guò)薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多(duō)设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜(mó)沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自(zì)长江(jiāng)存储被(bèi)加入(rù)美国(guó)限制名单，设备国产(chǎn)化(huà)进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关公(gōng)司份额(é)提(tí)升，以及存储业务(wù)占(zhàn)比较(jiào)高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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