大家(jiā)好，来看一则突(tū)发消息。

　　美(měi)光公司(sī)在华销售的产品未通过网络安全审查(chá)

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日前，网络(luò)安全审查办(bàn)公室依法对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光(guāng)公司产品存(cún)在较严重网(wǎng)络安全(quán)问题隐患(huàn)，对(duì)我国(guó)关键信息基础设施供应链造成重大安全(quán)风险，影响(xiǎng)我国(guó)国家安(ān)全。为(wèi)此，网络安全(quán)审查(chá)办公室依法作出不予通(tōng)过网络安全审(shěn)查的结(jié)论。按照《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内关键(jiàn)信息(xī)基础设施(shī)的运营者应停止(zhǐ)采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目(mù)的是防范产品(pǐn)网络安(ān)全问题危害(hài)国家关键信息基础设施安全，是维护国家(jiā)安全的必要措施(shī)。中国坚定推进高水(shuǐ)平对(duì)外开(kāi)放(fàng)，只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类(lèi)平(píng)台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障关键信息基础设施供应链安(ān)全，防范产品问(wèn)题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维(wéi)护国(guó)家(jiā)安(ān)全(quán)，依据(jù)《中华人(rén)民共(gòng)和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网络安全审查办公(gōng)室(shì)按照(zhào)《网络安(ān)全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查。

　　美(měi)光(guāng)是(shì)美国(guó)的存储(chǔ)芯片(piàn)行业(yè)龙(lóng)头(tóu)，也是全球存储芯片巨(jù)头之一(yī)，2022年(nián)收入来自中国市场收入从此数学中e等于多少，高中数学中e等于多少前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等(děng)公(gōng)司(sī)披露过美光等(děng)国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经(jīng)显著(zhù)下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存(cún)储(chǔ)晶圆供应商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二(èr)大和第三(sān)大供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建(jiàn)立国(guó)内外广泛合作。2022年(nián)年报(bào)显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确(què)保(bǎo)存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公(gōng)司在(zài)下游(yóu)市场的供应(yīng)优势，公司(sī)也与国(guó)内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或(huò)将导致下游客户转而(ér)采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀(shí)和(hé)薄(báo)膜成为最关(guān)键、最大(dà)量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺步(bù)骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设备(bèi)需求。据东(dōng)京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名单，设(shè)备国产化进程(chéng)加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司(sī)份额提升(shēng)，以(yǐ)及存(cún)储业(yè)务(wù)占比(bǐ)较高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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