大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美(měi)光公司(sī)在华销售(shòu)的(de)产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查(chá)办公(gōng)室(shì)依法(fǎ)对(duì)美光公司在华(huá)销(xiāo)售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较严重网(wǎng)络(luò)安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供(gōng)应链(liàn)造成重大安全风险，影(yǐng)响我国(guó)国家安全。为此，网络安全审查办公室依(yī)法作出(chū)不(bù)予通过网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)的结论。按照(zhào)《网络(luò)安(ān)全法》等法律法规，我(wǒ)国(guó)内关键信息基础(chǔ)设施(shī)的运营(yíng)者应停止采购美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防范(fàn)产品网络安全问题危害国(guó)家(jiā)关键信息(xī)基础设施安全，是维(wéi)护国家安全的必要措施(shī)。中国坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平对外(wài)开放(fàng)，只要(yào)遵守中国法(fǎ)律法规要求(qiú)，欢迎各(gè)国企业、各类平台产(chǎn)品服(fú)务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障(zhàng)关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网(wǎng)络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人(rén)民共和(hé)国(guó)国家安全法》《中华人民共和国(guó)网络安全(quán)法》，网络安(ān)全审查办公室(shì)按照《网络安(ān)全审(shěn)查办法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产品(pǐn)实施网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球(qiú)存储芯片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收(shōu)入来(lái)自中(zhōng)国市(shì)场收入从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等公司披(pī)露过美光等国际存储厂商(shāng)为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显著(zhù)下降，至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大(dà)供应(yīng)商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已经在存储产业(yè)链上下(xià)游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据(jù)等主要(山衔落日浸寒漪中的衔字是什么意思，衔的意思yào)存储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长期合约，确(què)保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在(zài)下(xià)游(yóu)市场(chǎng)的供应优势(shì)，公司也与国内(nèi)国产(chǎn)存(cún)储晶圆原(yuán)厂武汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此(山衔落日浸寒漪中的衔字是什么意思，衔的意思cǐ)前(qián)就分析，如(rú)果美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下(xià)游客户(hù)转而采购国(guó)外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需(xū)要经过(guò)薄(báo)膜沉积工艺步(bù)骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备(bèi)需求。据(jù)东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升(shēng)，以(yǐ)及(jí)存(cún)储业务占比(bǐ)较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收入(rù)增长。

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