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360借条是正规的吗

360借条是正规的吗 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大(dà)家好,来(lái)看一则突发消息(xī)。

  美光公(gōng)司(sī)在(zài)华销售的产品未通过网络安全审查

  据网信办消(xiā360借条是正规的吗o)息,日前(qián),网络安全审查办公室(shì)依法对(duì)美光公司在华销售产品进行了网(wǎng)络(luò)安全审查。

  审(shěn)查发现(xiàn),美光公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题(tí)隐(yǐn)患,对(duì)我国关键信息基础设施供应链造成重大安全(quán)风险,影响我国国(guó)家安(ān)全。为此,网络(luò)安全审查(chá)办公室(shì)依(yī)法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规(guī),我国内关键信(xìn)息(xī)基础设施(shī)的运营者应(yīng)停(tíng)止采购美光(guāng)公司产(chǎn)品。

  此次对(duì)美光公司产品进行网络(luò)安全审查,目的是(shì)防范产品网络安全问题危害国家关键信息(xī)基础设施安全,是维360借条是正规的吗护(hù)国家安全的必要(yào)措施(shī)。中国坚定(dìng)推进高水平(píng)对(duì)外开放,只要(yào)遵(zūn)守中国法律法规要求(qiú),欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服务(wù)进入中国(guó)市场。

  半(bàn)导体突发(fā)!中国(guó)出手:停止采购!

  3月31日(rì),中(zhōng)国网(wǎng)信网发文称,为保障关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施供应链安全(quán),防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患造(zào)成(chéng)网络安(ān)全风险,维(wéi)护(hù)国家安全,依(yī)据《中(zhōng)华(huá)人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网(wǎng)络安全(quán)法》,网络安(ān)全(quán)审查(chá)办公室按照《网络(luò)安(ān)全审查办法》,对美(měi)光公(gōng)司(Micron)在华销售的产品实施网络安全(quán)审查(chá)。

  半导(dǎo)体突发!中国出(chū)手:停止采(cǎi)购(gòu)!

  美光是美国的存储芯片行业龙头,也(yě)是(shì)全(quán)球(qiú)存储芯片巨头(tóu)之一,2022年(nián)收入来自中国市场(chǎng)收入从(cóng)此前高峰(fēng)57%降至2022年约11%。根据市场(chǎng)咨(zī)询机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计,2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市(shì)场份额(é)约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM (内存(cún))市场份额约为(wèi) 94.35%。

  A股上市(shì)公司(sī)中,江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等国际(jì)存储厂商为公(gōng)司供应商(shāng)。

  美光在江波龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显(xiǎn)著下降,至少已经不(bù)是主要(yào)大供应(yīng)商。

  公告显(xiǎn)示, 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供(gōng)应商,采(cǎi)购约(yuē)31亿(yì)元,占(zhàn)比33.52%;2022年,江波龙第一大(dà)、第二大和第三(sān)大(dà)供(gōng)应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分别是26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示,江波龙与三星、美(měi)光、西部(bù)数(shù)据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约,确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性,巩固公司在下游市场的供应优势,公(gōng)司也与国内国产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

  有券商此前(qián)就分(fēn)析,如果美光在中国(guó)区销(xiāo)售受到限制,或将导致下游(yóu)客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士,国内长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞对产品

  分析称,长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或(huò)从中受益。存储(chǔ)器(qì)的生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代,2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关(guān)键(jiàn)、最(zuì)大量(liàng)的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤,同(tóng)时(shí)刻蚀(shí)目前前(qián)沿(yán)要刻到 60:1的深孔(kǒng),未来(lái)可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽,催生更(gèng)多设备需求。据(jù)东京电(diàn)子披露(lù),薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75%。自长江(jiāng)存(cún)储被加入(rù)美(měi)国限制名单(dān),设备(bèi)国产化进程加速,看好拓荆科技(薄膜沉积(jī))等相关公司份额提升,以及存储业务占比(bǐ)较高的华(huá)海(hǎi)清科(CMP)、盛美上海(清洗)等收入增长(zhǎng)。

 

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