大家好(hǎo)，来看一则突发消息(xī)。

　　美光(guāng)公司在华(huá)销(xiāo)售(shòu)的产品(pǐn)未通过网络安全(quán)审查

　　据(jù)网信(xìn)办(bàn)消息(xī)，日前，网络安(ān)全审查办公室依法对美光(guāng)公司在华(huá)销售(shòu)产品进行了(le)网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成(chéng)重大安(ān)全风险，影响(xiǎng)我国(guó)国家安全(quán)。为此，网络安全审查办公室(shì)依法作出不(bù)予(yǔ)通过(guò)网络安全审查的结(jié)论。按大家真的都放不进脉动瓶口吗，一般进得去脉动瓶口吗照《网络(luò)安(ān)全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规(guī)，我(wǒ)国内关键信息基础(chǔ)设施的运(yùn)营者应停止采购(gòu)美(měi)光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司(sī)产品进行网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)，目的(de)是防(fáng)范产品网络安全问题(tí)危害国(guó)家关键信(xìn)息基础设(shè)施安全，是维护国家(jiā)安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类(lèi)平台(tái)产品服务进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称(chēng)，为保障(zhàng)关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链安全，防范产品问题(tí)隐患造成网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民共和(hé)国国(guó)家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人民共和国(guó)网络安(ān)全(quán)法》，网络安(ān)全审查办公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对美(大家真的都放不进脉动瓶口吗，一般进得去脉动瓶口吗měi)光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实(shí)施网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入(rù)从此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储(chǔ)等(děng)公司披(pī)露过(guò)美光(guāng)等国际存储厂(chǎng)商为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下(xià)降，至少(shǎo)已(yǐ)经(jīng)不(bù)是主要大(dà)供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采(cǎi)购(gòu)约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二(èr)大(dà)和第(dì)三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储(chǔ)产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据(jù)等(děng)主要(yào)存储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果(guǒ)美光在中国区(qū)销售(shòu)受(shòu)到限制，或将导致下(xià)游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士(shì)，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的(de)上游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm大家真的都放不进脉动瓶口吗，一般进得去脉动瓶口吗的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜沉(chén)积工艺步(bù)骤(zhòu)，同时(shí)刻(kè)蚀目前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的(de)孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多(duō)设备需(xū)求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积(jī)设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计为75％。自(zì)长江(jiāng)存储被加入美国(guó)限制(zhì)名(míng)单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科技(jì)（薄(báo)膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储业(yè)务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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