大家好，来看一则突发(fā)消息(xī)。

　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通过网络安全审查(chá)

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日前，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查(chá)办公室依法对美光(guāng)公司在(zài)华销售产品进行了网络安(ān)全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公司(sī)产品存在较严重网络安全(quán)问题隐患，对(duì)我国关(guān)键信息基础设施供应链(liàn)造成(chéng)重大安全(quán)风险，影响我国国家(jiā)安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出不(bù)予通过网(wǎng)络安(ān)全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等(děng)法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光(guāng)公司(sī)产品进行(xíng)网络(luò)安全(quán)审(shěn)查，目的是(shì)防(fáng)范产品网络(luò)安全(quán)问题危(wēi)害国家(jiā)关(guān)键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安(ān)全的必(bì)要(yào)措施。中国(guó)坚(jiān)定(dìng)推(tuī)进高(gāo)水(shuǐ)平对外(wài)开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各类(lèi)平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络(luò)安全(quán)风险，维护国(guó)家安全(quán)，依据《中(zhōng)华(huá)人民共(gòng)和国(guó)国家安全法》《中华人民共(gòng)和(hé)国网络(luò)安全法》，网(wǎng)络安全审查(chá)办公(gōng)室按(àn)照《网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美(měi)光是(s小说中反复的作用和表达效果，反复的作用和表达效果答题格式hì)美国(guó)的(de)存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自中国市(shì)场收(shōu)入(rù)从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨小说中反复的作用和表达效果，反复的作用和表达效果答题格式询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司(sī)披露过美光等(děng)国际存储厂(chǎng)商为公司(sī)供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大(dà)供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第(dì)一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第(dì)二大(dà)和第三大供应商采(cǎi)购金(jīn)额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部数据等主要存(cún)储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的(de)稳定性，巩固(gù)公司在(zài)下游市(shì)场的供(gōng)应(yīng)优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前(qián)就分析(xī)，如果(guǒ)美光在中国区销(xiāo)售受(shòu)到限制，或将导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，小说中反复的作用和表达效果，反复的作用和表达效果答题格式rong>国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制名(míng)单，设(shè)备国(guó)产化(huà)进(jìn)程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等(děng)收入(rù)增(zēng)长。

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