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　　美光公(gōng)司在华(huá)销售的产品未(wèi)通过网络安(ān)全(quán)审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)对(duì)美光公司在华销售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在(zài)较严重网(wǎng)络安(ān)全问题隐患，对我国(guó)关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安(ān)全审查办公(gōng)室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营(yíng)者应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)进行网(wǎng)络安全(quán)审查，目的是防范(fàn)产品网(wǎng)络安全问(wèn)题危害国(guó)家(jiā)关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设(shè)施安(ān)全，是维护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放(fàng)，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务(wù)进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障(zhàng)关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链安全(quán)，防范产品问(wèn)题(tí)隐患造成网络安全(quán)风(fēng)险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国(guó)国家安(ān)全(quán)法》《中华人民共(gòng)和国(guó)网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公(gōng)室按(àn)照《网络安(ān)全(quán)审查办法》，对美光(guāng)公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的产品(pǐn)实(shí)施网络(luò)安全(quán)审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年收入(rù)来自(zì)中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(香港割让是什么条约谁签字，香港割让是什么条约多少年jì)，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江波龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披露过美(měi)光(guāng)等国际存储厂商为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经(jīng)显著下降，至少已经不是主要大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列(liè)江波龙第一(yī)大存储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额(é)占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经(jīng)在存储产业(yè)链上下游建(jiàn)立(lì)国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美光、西部数(shù)据等(děng)主要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的(de)稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司在下游市(shì)场的供应(yīng)优(yōu)势(shì)，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分析，如果美光在(zài)中国区销售受(shòu)到限制，或(huò)将导(dǎo)致下游客户(hù)转(zhuǎn)而(ér)采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储香港割让是什么条约谁签字，香港割让是什么条约多少年(chǔ)器(qì)的(de)生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为最关键、最大(dà)量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需(xū)要经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉积(jī)设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合计为75％。自长江存(cún)储被(bèi)加入美国限制名单，设(shè)备(bèi)国产化进程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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