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　　美光公司在华销售的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美光(guāng)公司在华销(xiāo)售产品进(jìn)行了网络(luò)安全(quán)审查。

　　中国有多少万大军，中国多少万兵力审查发(fā)现(xiàn)，美光公司(sī)产品存在较严重网络安全(quán)问题隐患，对(duì)我国关(guān)键信息基础设施供(gōng)应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家安全(quán)。为此，网络(luò)安全审查办公室依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过(guò)网络安(ān)全审(shěn)查(chá)的结论。按(àn)照《网络安全法》等(děng)法(fǎ)律法规，我国(guó)内关键(jiàn)信息(xī)基础设施(shī)的运(yùn)营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司(sī)产品进行网络安(ān)全(quán)审查，目的(de)是防范产品网络(luò)安全(quán)问题危害国家(jiā)关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设(shè)施安(ān)全，是(shì)维护国家安全(quán)的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高(gāo)水平对外开(kāi)放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中国法律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务(wù)进入中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础设施供应(yīng)链安(ān)全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题(tí)隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全(quán)风险，维(wéi)护国家安全，依(yī)据《中华人(rén)民共和国国(guó)家(ji中国有多少万大军，中国多少万兵力ā)安全(quán)法》《中华人民共和国网络安(ān)全(quán)法》，网络安(ān)全(quán)审查办(bàn)公室按照《网络安全审(shěn)查(chá)办(bàn)法(fǎ)》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安全(quán)审查。

　　美光是美国的存(cún)储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市(shì)场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等国际存储厂(chǎng)商(shāng)为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙(lóng)第一大、第二大和第三(sān)大供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存(cún)储产业链(liàn)上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合(hé)约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市(中国有多少万大军，中国多少万兵力shì)场的供应优(yōu)势(shì)，公司(sī)也与国内(nèi)国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的(de)合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光(guāng)在中(zhōng)国区(qū)销售受到限制，或(huò)将导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力士(shì)，国(guó)内长江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从(cóng)中受益(yì)。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜(mó)沉积工艺(yì)步(bù)骤，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据(jù)东(dōng)京(jīng)电子披露，薄(báo)膜沉积(jī)设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合(hé)计(jì)为75％。自长江存(cún)储被加入(rù)美国限(xiàn)制(zhì)名(míng)单(dān)，设备国产化进(jìn)程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关(guān)公司份额(é)提(tí)升(shēng)，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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