大(dà)家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前(qián)，网络安全(quán)审查办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品(pǐn)存在较(jiào)严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链造(zào)成(chéng)重大安全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家(jiā)安全。为(wèi)此，网络(luò)安全(quán)审查办(bàn)公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等(děng)法律法规，我国内关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设施的运营(yíng)者(zhě)应(yīng)停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行(xíng)网络安全审查(chá)，目的(de)是(shì)防范产(chǎn)品网络(luò)安全问题(tí)危害国家关键信息基(jī)础设施安全，是维护国家(jiā)安全的必(bì)要(yào)措施。中国坚定推进(jìn)高水平(píng)对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文(wén)称，为保(bǎo)障关键信息基础设施供(gōng)应链(liàn)安(ān)全，防范产品(pǐn)问(wèn)题(tí)隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国(guó)家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国(guó)家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络(luò)安全(quán)审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也是全(quán)球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露(lù)过美光等(děng)国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波(bō)龙采购占比已经显著(zhù)下降(jiàng)，至少已经(jīng)不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆(yuán)供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大(dà)和第三大供应商(shāng)采(cǎi)购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立(lì)国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供(gōng)应(yīng)的(de)稳定性，巩固公司在(zài)下游市场20分米等于多少米 20分米等于多少厘米的供(gōng)应(yīng)优势，公司也与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就(jiù)分析，如果美光在(zài)中国区销(xiāo)售(shòu)受(shòu)到限制，或将导致(zhì)下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士20分米等于多少米 20分米等于多少厘米(shì)，国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长鑫的(de)上游设(shè)备厂或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器(qì)的生产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最(zuì)关键、最大(dà)量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东(dōng)京(jīng)电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名(míng)单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份(fèn)额提(tí)升，以及(jí)存储业务占比较高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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