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1亿越南盾是富豪吗,越南打工一个月多少钱 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看(kàn)一则突发消息。

1亿越南盾是富豪吗,越南打工一个月多少钱>  美光公司在华销售的产品未通(tōng)过网络安全(quán)审查

  据网信办消息,日前,网络(luò)安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)对美光(guāng)公司(sī)在华销售产品进行(xíng)了网络安全审查。

  审(shěn)查发现,美光公(gōng)司产品存在较严重网络(luò)安(ān)全问题(tí)隐患,对(duì)我国关键信息(xī)基础设施供应(yīng)链造成(chéng)重大安全风险,影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安全。为此,网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法作出(chū)不予(yǔ)通过网络安全审(shěn)查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规,我国内关键信(xìn)息基础设(shè)施的(de)运营者应(yīng)停止采购美光公(gōng)司产品。

  此次对(duì)美光公司(sī)产品进行网络安全(quán)审查,目的(de)是防范(fàn)产品网络安全问(wèn)题(tí)危害国家关键信息基础设施(shī)安全,是维护国(guó)家安全的(de)必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平(píng)对外开放,只(zhǐ)要遵(zūn)守(shǒu)中国法(fǎ)律法规要求,欢(huān)迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场(chǎng)。

  半导体突(tū)发!中国出(chū)手(shǒu):停止采购!

  3月31日(rì),中国网信网发文称(chēng),为保障(zhàng)关键(jiàn)信息基础设施供应链安(ān)全,防(fáng)范产品问题(tí)隐患(huàn)造成网络安全风险,维护国家(jiā)安全,依(yī)据(jù)《中华人民共和国(guó)国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和国网络安(ān)全法》,网络安(ān)全审查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法》,对美光公司(Micron)在(zài)华销售的产品(pǐn)实施网络(luò)安(ān)全(quán)审查。

  半导(dǎo)体突发(fā)!中国出手:停(tíng)止(zhǐ)采购!

  美(měi)光是美国的存储芯片行业龙头,也是全球存储芯片巨头之一,2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前高(gāo)峰57%降至2022年约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash (闪存(cún))市(shì)场份(fèn)额约(yuē)为(wèi) 96.76%,三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球 DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过(guò)美(měi)光等(děng)国际存(cún)储厂商(shāng)为公司供应商。

  美(měi)光在江波龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经显著(zhù)下降,至少已(yǐ)经不(bù)是主要大供应(yīng)商。

  公告显示, 2021年(nián)美光(guāng)位列(liè)江波龙(lóng)第一大存储晶圆(yuán)供(gōng)应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江(jiāng)波(bō)龙第一大(dà)、第二(èr)大和(hé)第三大供应商(shāng)采购金额占比分别(bié)是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前(qián)江波龙(lóng)已经(jīng)在存(cún)储产业链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示,江波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部数(shù)据等主要(yào)存储(chǔ)晶圆(yuán)原(yuán)厂签署了(le)长期合约,确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性,巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势,公司(sī)也(yě)与国内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

  有券商此前就分析,如果美光在中(zhōng)国区销售受到限制,或将导致下游客户转而(ér)采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海力士,1亿越南盾是富豪吗,越南打工一个月多少钱rong>国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞对产品

  分析称,长存、长鑫的上游(yóu)设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代,2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤(zhòu),同时(shí)刻(kè)蚀(shí)目(mù)前前沿要刻到 60:1的深孔,未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽,催生更多设备(bèi)需求。据东(dōng)京电子披露,薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合(hé)计为75%。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被(bèi)加入美国限制名单,设(shè)备国产化进(jìn)程加速,看(kàn)好拓荆科技(薄膜沉积)等相关(guān)公司份额提升,以及存(cún)储(chǔ)业务(wù)占(zhàn)比较(jiào)高的华(huá)海(hǎi)清(qīng)科(CMP)、盛(shèng)美(měi)上海(清洗)等(děng)收入增(zēng)长。

 

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