大家好，来看一则突发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办公室依法对美光公司(sī)在华销售产品进(jìn)行了网络安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国(guó)关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审(shěn)查办公室依法作出不予通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国(guó)内(nèi)关键信息基础设(shè)施(shī)的运营(yíng)者(zhě)应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络安全审查，目的(de)是防范产品网络安全问题危害(hài)国家关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设施安全(quán)，是维护国(guó)家安(ān)全的(de)必要措(cuò)施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要(yào)求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业、各类平台(tái)产品服务(wù)进(jìn)入中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患造成(chéng)网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华(huá)人民共(gòng)和国网络安(ān)全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查(chá)办(bàn)法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的(de)存储芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也(yě)是全球存(cún)储芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此前(qián)高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披(pī)露过美光等国际存(cún)储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至(zhì)少(shǎo)已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光(guāng)位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5enjoy可数吗，joy可不可数.76％。

　　目前江波(bō)龙已经(jīng)在存储(chǔ)产业链上下(xià)游建立国内外(wài)广泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数(shù)据等(děng)主要(yào)存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应(yīng)优势，公司也(yě)与国内国(guó)产存(cún)储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析，如果(guǒ)美光在中(zhōng)国(guó)区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国(guó)外三(sān)星、 SK海(hǎi)力(lì)士(shì)，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生(shēng)产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为最关(guān)键、最(zuì)大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉(chén)积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来(lái)可能会(huì)更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄(báo)膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合计(jì)为(wèi)75％。自长江存储被(bèi)加入(rù)美国限制名(míng)单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存(cún)储业(yè)务占比较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增长。

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