大家(jiā)好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光(guāng)公司在(zài)华销售的产品未通(tōng)过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依(yī)法(fǎ)对美光公司在华销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存(cún)在较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链造成重(zhòng)大(dà)安全风险，影响我国(guó)国家(jiā)安(ān)减肥期间能吃饺子吗午餐，10个饺子相当于几碗饭全(quán)。为此，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室依法作(zuò)出不(bù)予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络(luò)安全(quán)法》等法律法规(guī)，我(wǒ)国内关键信息基础设(shè)施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公(gōng)司产(chǎn)品进行网络(luò)安(ān)全审查，目(mù)的是防范产(chǎn)品网络(luò)安全问题危害国家(jiā)关键(jiàn)信息基础设(shè)施安全，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中(zhōng)国(guó)坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法规(guī)要求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各(gè)类(lèi)平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施供应链安全(quán)，防(fáng)范(fàn)产品(pǐn)问题隐患(huàn)造成网(wǎng)络安(ān)全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中华人民(mín)共(gòng)和(hé)国(guó)网络安全(quán)法(fǎ)》，网络安全审查(chá)办公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施(shī)网络安(ān)全(quán)审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自(zì)中国市场收(shōu)入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披露过美(měi)光等国际存(cún)储厂(chǎng)商为(wèi)公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显著下(xià)降，至少已经(jīng)不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商(shāng)采购金额占(zhàn)比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存(cún)储产业链上下游建(jiàn)立国内(nèi)外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确(què)保存储晶圆供应的(de)稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供应优(yōu)势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫(xīn)的(de)上游(yóu)设备厂或从中受(shòu)益。存(cún)储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉积(jī)工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江(jiāng)存储被加入(rù)美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备国(guó)产化进(jìn)程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及(jí)存(cún)储业(yè)务占比较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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