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当年非典为什么神秘结束了

当年非典为什么神秘结束了 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消息。

  美(měi)光公司在华(huá)销售的产品未通(tōng)过网络安(ān)全审查

  据网(wǎng)信办(bàn)消息,日前,网络安(ān)全审查办公室依法对美光公司在(zài)华销售(shòu)产品(pǐn)进行了网络安全审查。

  审(shěn)查发现(xiàn),美光公司产品存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患,对我国关键信息基(jī)础设施供应链造成重大安全风险,影响我国国家安(ān)全。为此,网络安全审查办(bàn)公室依法作出(chū)不予通过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安(ān)全法》等法律法规,我国内(nèi)关键信息基础设(shè)施的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)。

  此(cǐ)次对美光公(gōng)司产(chǎn)品进行网络安全审查,目(mù)的(de)是防(fáng)范产(chǎn)品网络(luò)安全问题危(wēi)害国(guó)家关键信息基础设施安全(quán),是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放,只要遵守中国法律法(fǎ)规要求(qiú),欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各(gè)类平台(tái)产品(pǐn)服(fú)务进入中国市当年非典为什么神秘结束了场。

  半导体突发(fā)!中国出手:停止采购(gòu)!

  3月31日(rì),中国(guó)网信网发文称,为保(bǎo)障关键信息基础设施供应链安全,防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风(fēng)险,维(wéi)护国家安全,依据《中华(huá)人民(mín)共和国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国(guó)网络安(ān)全法》,网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查(chá)办法》,对(duì)美(měi)光公司(Micron)在华销售的产品实(shí)施网络安全审查。

  半导体突发!中国(guó)出手(shǒu):停止采(cǎi)购!

  美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头,也是(shì)全球存(cún)储芯(xīn)片巨头之一,2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前高峰(fēng)57%降至(zhì)2022年约11%。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash (闪存(cún))市场份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM (内存(cún))市场份额约为 94.35%。

  A股上(shàng)市公司中,江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等(děng)国际存储厂商为(wèi)公司供应商(shāng)。

  美光在江波龙(lóng)采当年非典为什么神秘结束了购占(zhàn)比已经显著(zhù)下降,至少已(yǐ)经不是(shì)主(zhǔ)要大供应商。

  公告显(xiǎn)示, 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存(cún)储(chǔ)晶圆供应商(shāng),采(cǎi)购约(yuē)31亿(yì)元(yuán),占(zhàn)比(bǐ)33.52%;2022年,江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二大和第三大供应商采购金(jīn)额(é)占(zhàn)比分(fēn)别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前(qián)江波(bō)龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建(jiàn)立国(guó)内外广泛合作。2022年年报(bào)显示(shì),江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数(shù)据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期(qī)合约(yuē),确保存储晶圆供应的(de)稳定性,巩固公司在(zài)下游市场的供(gōng)应优(yōu)势,公(gōng)司(sī)也与国(guó)内国产存储晶圆(yuá当年非典为什么神秘结束了n)原(yuán)厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的(de)合作。

  有券商此前就分析,如果美光在(zài)中(zhōng)国区销(xiāo)售受到限制,或将导致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士,国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫存储等(děng)竞对(duì)产品

  分(fēn)析(xī)称(chēng),长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时代,2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键(jiàn)、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步骤,同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60:1的(de)深(shēn)孔,未来可能会更深的孔或者沟槽,催生更(gèng)多设备需求。据(jù)东(dōng)京电子披露,薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75%。自(zì)长江存储被加入美国(guó)限制名(míng)单(dān),设备国产(chǎn)化进程加速,看好拓荆科(kē)技(薄(báo)膜(mó)沉积)等相关公司份额提升(shēng),以(yǐ)及存储业(yè)务(wù)占(zhàn)比较(jiào)高(gāo)的华海(hǎi)清(qīng)科(CMP)、盛美上海(hǎi)(清洗)等收入增长。

 

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