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　　美光(guāng)公司在华销售的(de)产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公司产品(pǐn)存在较严(yán)重网络安全(quán)问题隐患，对我国关键信息基础设施供(gōng)应链造(zào)成(chéng)重(zhòng)大安全风险，影(yǐng)响我国国(guó)家安全。为此，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法作出不予通过网络安全审查(chá)的结论。按照《网络安(ān)全法》等法(fǎ)律法规，我国五的大写是什么内(nèi)关键信(xìn)息基础设施的(de)运营(yíng)者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进(jìn)行网络(luò)安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全(quán)问题(tí)危害国家关键信息基(jī)础设施安(ān)全，是维护(hù)国家安全的必(bì)要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　五的大写是什么="半导体突(tū)发！中国(guó)出手：停(tíng)止采购！" src="http://getimg.jrj.com.cn/images/2023/05/weixin/one_20230521204212185.png">

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造成网络安(ān)全风(fēng)险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办法》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过(guò)美光等(děng)国(guó)际(jì)存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要(yào)大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光位(wèi)列江波(bō)龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022五的大写是什么年，江波(bō)龙(lóng)第一(yī)大、第二(èr)大和(hé)第三大供应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市场的(de)供应优势(shì)，公(gōng)司也(yě)与(yǔ)国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的(de)合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国区(qū)销售受到(dào)限制(zhì)，或将导致(zhì)下游(yóu)客(kè)户转(zhuǎn)而(ér)采购(gòu)国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最(zuì)大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可(kě)能会更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄(báo)膜(mó)沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储被加(jiā)入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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