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　　美光公司在华销售的(de)产品未通过网络安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公室依(yī)法对美光公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光公司(sī)产品存在(zài)较严重网络安全(quán)问题隐患，对(duì)我国(guó)关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室(shì)依法作出不予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按照《网(良莠不齐能形容物吗，良莠不齐是形容人还是形容物wǎng)络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关(guān)键信息基础(chǔ)设施(shī)的运营(yíng)者(zhě)应(yīng)停(tíng)止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产品(pǐn)进(jìn)行网络安全审查，目的是(shì)防范产品网络安(ān)全问(wèn)题危害(hài)国家关键信息基础设施(shī)安全，是(shì)维护国(guó)家安全(quán)的必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台(tái)产品服务进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全(良莠不齐能形容物吗，良莠不齐是形容人还是形容物quán)，依据《中华人民共(gòng)和(hé)国(guó)国(guó)家安全法》《中华人民共(gòng)和国(guó)网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络安全(quán)审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华(huá)销(xiāo)售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头(tóu)，也是全球存(cún)储芯片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披(pī)露(lù)过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙(lóng)采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经(jīng)不是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波(bō)龙第一大(dà)存(cún)储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二(èr)大和第(dì)三(sān)大供(gōng)应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建(jiàn)立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示(shì)，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的(de)供(gōng)应优势，公司(sī)也(yě)与国(guó)内(nèi)国产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光(guāng)在中国区(qū)销售受(shòu)到限(xiàn)制，或将导致(zhì)下游(yóu)客户转而采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫(xīn)存良莠不齐能形容物吗，良莠不齐是形容人还是形容物储等(děng)竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未(wèi)来可能会更深的孔或(huò)者沟(gōu)槽(cáo)，催生(shēng)更(gèng)多(duō)设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名(míng)单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜(mó)沉(chén)积）等(děng)相(xiāng)关公司份额提(tí)升，以(yǐ)及存(cún)储业务占(zhàn)比较高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

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