大家好，来看(kàn)一则突(tū)发消息。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产(chǎn)品(pǐn)未通过网络安全审(shěn)查中国的三线城市有哪些 排名，中国的三线城市有哪些2022strong>

　　中国的三线城市有哪些 排名，中国的三线城市有哪些2022据网信办消息(xī)，日前，网络安全(quán)审(shěn)查办公室依法对(duì)美光公司在(zài)华销售产品进行了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发现，美(měi)光公司(sī)产品存在较严(yán)重(zhòng)网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施供应链造成重大(dà)安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络(luò)安(ān)全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基(jī)础设施的运(yùn)营者应停(tíng)止采(cǎi)购美(měi)光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次(cì)对(duì)美光公司产(chǎn)品进行网络(luò)安全审查，目的(de)是防(fáng)范产品(pǐn)网(wǎng)络安全问题(tí)危害(hài)国(guó)家关键信息基础设施安全，是维护国家(jiā)安全的必(bì)要措(cuò)施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类(lèi)平台(tái)产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网发文称(chēng)，为保障关键信(xìn)息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络(luò)安全(quán)风险，维护国家(jiā)安全，依据(jù)《中(zhōng)华人(rén)民共(gòng)和国(guó)国家安(ān)全法》《中华人民(mín)共和国网络安全(quán)法(fǎ)》，网络(luò)安全审查(chá)办公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对(duì)美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入(rù)来自(zì)中(zhōng)国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国际存储厂商(shāng)为(wèi)公司供应商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙(lóng)第一(yī)大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一(yī)大、第二大和第三大供(gōng)应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业链上下(xià)游建立国内(nèi)外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三(sān)星、美光、西部(bù)数(shù)据等主(zhǔ)要存中国的三线城市有哪些 排名，中国的三线城市有哪些2022储晶圆原厂签(qiān)署了长期(qī)合(hé)约，确(què)保存储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固(gù)公司在下游(yóu)市场的供应(yīng)优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在中(zhōng)国(guó)区销(xiāo)售受到限制，或将导致下(xià)游客(kè)户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储器的生(shēng)产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的(de)孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生更多设备(bèi)需求(qiú)。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开(kāi)支合(hé)计为75％。自(zì)长江存储被(bèi)加入美国(guó)限制(zhì)名(míng)单，设备国产化(huà)进程加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占(zhàn)比较高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长。