大家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公(gōng)司(sī)在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查(chá)

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公(gōng)司在(zài)华(huá)销售(shòu)产(chǎn)品进行(xíng)了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公(gōng)司产(chǎn)品存在较严重(zhòng)网(wǎng)络安全(quán)问题隐患，对我国关键信息(xī)基础设施供应(yīng)链造成(chéng)重大安全(quán)风(fēng)险，影响我国国家安(ān)全。为(wèi)此(cǐ)，网络安(ān)全(quán)审查办公室(shì)依法作(zuò)出不予通过网络安(ān)全审(shěn)查的结论。按照(zhào)《网络(luò)安全法》等法律法规(guī)，我国内关(guān)键信息基础(chǔ)设施的(de)运(yùn)营者应停(tíng)止采购美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目(mù)的是防范产品网络安(ān)全问题(tí)危害国家关键信息基础设施安全，是维护国(guó)家安全的必要措(cuò)施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵(zū晋m是山西哪里的车n)守中国法律法规要(yào)求，欢迎各(gè)国企业、各类平(píng)台产品服务进入(rù)中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基(jī)础设施供应链(liàn)安(ān)全，防范产品问(wèn)题隐患(huàn)造成(chéng)网(wǎng)络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共(gòng)和国国家安(ān)全法》《中华(huá)人民共和国网(wǎng)络(luò)安全(quán)法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美光是美国(guó)的(de)存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中(zhōng)，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储等公(gōng)司(sī)披露过美(měi)光等国际存储厂商为公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著(zhù)下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大(dà)、第二大和(hé)第(dì)三(sān)大(dà)供应商采购金(jīn)额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链上(shàng)下游建立国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年(nián)年报(bào)显示，江(jiāng)波龙与三(sān)星(xīng)、美光、西部(bù)数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确(què)保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在(zài)下游(yóu)市场的供应优势，公(gōng)司也与(yǔ)国内国产存储晶(jī晋m是山西哪里的车ng)圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持(chí)良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就(jiù)分(fēn)析，如果美(měi)光(guāng)在(zài)中国区销(xiāo)售受到(dào)限制，或将(jiāng)导致下游客户转而(ér)采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从(cóng)中(zhōng)受益。存储器的生产(chǎ晋m是山西哪里的车n)已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多(duō)设备需(xū)求。据东京(jīng)电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资(zī)本开支合计(jì)为(wèi)75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名(míng)单，设(shè)备国产化进(jìn)程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉积(jī)）等相关(guān)公司(sī)份额提升，以及存(cún)储(chǔ)业(yè)务(wù)占比较高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

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