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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日(rì)前，网络(luò)安全审查办公室依法对美光公(gōng)司(sī)在华销售(shòu)产品(pǐn)进行(xíng)了网络安全(quán)审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司(sī)产品存在较(jiào)严重网络安(ān)全问题隐患，对我国(guó)关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国(guó)家安(ān)全(quán)。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作出(chū)不予通过网络安全(quán)审查的结论(lùn)。按照《网络(luò)安全法》等法律(lǜ)法规，我国内(nèi)关键信息基(jī)础设施的运营者应停止采购美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光公司产品(pǐn)进(jìn)行网络安全审(shěn)查，目(mù)的是防范产(chǎn)品网络(luò)安全问题危害国(guó)家关键信息基础设(shè)施安全(quán)，是维(wéi)护国(guó)家安(ān)全的必要(yào)措施。中国坚定推(tuī)进(jìn)高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要(yào)求(qiú)，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平台产品服(fú)务进入中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网发文称，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成网络安单亲家庭是什么意思全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国(guó)网(wǎng)络安全法(fǎ)》，网络(luò)安全审查办公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的(de)产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美(měi)光是美国(guó)的(de)存储芯片行业龙(lóng)头，也是全(quán)球存储(chǔ)芯片巨(jù)头之一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维(wéi)存(cún)储等(děng)公司披露过(guò)美光等国际存储厂(chǎng)商为(wèi)公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下(xià)降，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存(cún)储(chǔ)晶圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一大(dà)、第二大(dà)和(hé)第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星(xīng)、美(měi)光、西部数据(jù)等(děng)主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司(sī)在下游(yóu)市场的供应优(yōu)势，公司也(yě)与国(guó)内国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江存(cún)储(chǔ)、合(hé)肥(féi)长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就(jiù)分析(xī)，如果(guǒ)美光(guāng)在中国区销售受到(dào)限制，或(huò)将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的(de)上(shàng)游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产单亲家庭是什么意思已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为(wèi)最(zuì)关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过(guò)薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深(shēn)孔(kǒng)，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据(jù)东京(jīng)电子披露(lù)，薄(báo)膜沉积(jī)设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支(zhī)合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入美国(guó)限制(zhì)名单，设(shè)备国(guó)产化进程(chéng)加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司(sī)份额提(tí)升，以(yǐ)及存储业务占比(bǐ)较高的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗(xǐ)）等(děng)收入增长。

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